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CCD和CMOS攝像頭的區(qū)別介紹
 
更新時(shí)間:2015.01.03 瀏覽次數(shù):
 

  首先說一下在半程睡電視監(jiān)控中攝像機(jī)的CCD和CMOS的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡單的說,CCD每曝光一次,在快門關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個(gè)像素的電荷信號依序傳入緩沖器中,由底端的線路引志輸出的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián)ADC輸出;相對CMOS的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素旁就直接連著ADC,信號直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。

  CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時(shí)不失真,透過每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單,沒有專屬通道的設(shè)計(jì),因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。

  光電開關(guān)傳感器技術(shù)整體來說,CCD與CMOS兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括ISO感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等不同類型的差異。

  1、ISO感光度差異。由于CMOS每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過多的額外設(shè)備壓縮單一像素感光區(qū)域的表面積,因此相同像素下,同樣大小的感光器尺寸,CMOS的感光度會低于CCD。

  2、成本差異。CMOS應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本和良好率的損失。相對CCD采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通,如果通道中有一個(gè)像素故障,就會導(dǎo)致一整排的信號塞,無法傳遞,因此CCD的良好率比CMOS低,加上另辟傳輸能被外加ADC等周邊,CCD的制造成本相對高于CMOS。

  3、解析度差異。在第一點(diǎn)感光度差異中,由于CMOS每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比CCD復(fù)雜,其感光開口不及CCD大,相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí),CCD感光器的解析度通常會優(yōu)于CMOS。不過,如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬像素/全片幅的設(shè)計(jì),CMOS技術(shù)在量率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅24-36mm這樣的大小。

  4、噪點(diǎn)差異。由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè)ADC放大器,如果以百萬像素計(jì),那么就需要百萬個(gè)以上的ADC放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個(gè)放大器或多或少都有些微小的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對比單一個(gè)放大器的CCD,CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。

  5、耗電量差異。CMOS的影像電荷驅(qū)動方式為主動式,感光器所產(chǎn)生的電荷會直接由旁邊的ADC作放大輸出;但CCD卻為被動式,必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動至傳輸通道,而這外加電壓通常需要12V以上的水平,因此CCD還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動電壓使CCD的電量遠(yuǎn)高于CMOS。

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