磁敏三極管結(jié)構(gòu)是在高純度半導體鍺的兩端雜質(zhì)P型區(qū)和N型區(qū),和磁敏二極管一樣也有I區(qū)和R區(qū)。 在沒有外加磁場時,從發(fā)射極E注入到I區(qū)的電子,在橫向磁場UBE的作用下,大部分與I區(qū)的空穴復合形成基極電流,少部分電子到集電極形成集電極電流。此時基極電流大于集電極電流。在外加磁場B的作用下,從發(fā)射極E注入到I區(qū)的電子,在受到橫向電場UBE的作用外,還受到洛倫茲力的作用,使其向復合區(qū)R的方向偏轉(zhuǎn),導致電子的分布發(fā)生變化,原來注入集電極的部分電子注入基區(qū),原來注入基區(qū)的部分電子進入了復合區(qū),導致集電極電流減小,基極的電基本保持不變,而在運算中,像光電開關(guān)傳感器、接近開關(guān)傳感器的方式更加不同。 在外加磁場B的作用時,其過程和外加磁場B時的情況剛好相反,導致集電極電流增大,基極的電流基本保持不變。 由此可以看出,磁敏三極管和磁敏三極管的工作原理基本相同,可以用磁場方向控制集電極電流的增加或減小,也可以用磁場的強弱控制集電極電流增加或減小的變化量。 |